华为活数(H)与温度相关的衍射峰极化图。

通过不同步骤的吉布斯自由能分析，应用含有氧空穴的PBSCF，以Co为活性位点时，速控步（*OH−*O）的吉布斯自由能由0.70eV下降至0.33eV。原始PBSCF，双据中决方氢气热处理后，电化学还原后薄膜的a）O1s XPS光谱。

心容【图文导读】1.模型薄膜体系的构建及氧缺陷的调控：通过脉冲激光沉积方法在单晶（001）衬底钇稳定氧化锆（YSZ）上生长的PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ（PBSCF）薄膜用作模型系统。b）未处理薄膜（无氧空位）和400°C在10-6 mbar氢气环境中热退火2小时（含有氧空位）的STS谱图;c）具有和不具有氧缺陷的PBSCF的O2p，灾解Fe3d和Co3d的DOS。XPS与XRD结果的差异主要是因为氢气热处理造成的氧空穴深度较深，案重而电化学还原处理更加表面。

幸运的是，磅发布仔细调整这些竞争效果，致使具有氧缺陷的PBSCF的OER活性增强。电化学还原后的PBSCF的纳米管的形貌变化不大，华为活数很好的维持了纳米管的中空结构，电化学还原后的PBSCF纳米管的OER性能提高。

适当优化后，应用氧缺陷对OER的促进作用发挥了主导作用，导致PBSCF的OER催化性能提高。

b，双据中决方e）EIS曲线（测试电位为V=1.67V（相对于RHE））。梦见指甲内全是泥垢，心容贪污公款，损失惨重。

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